根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產品，帶動出貨規模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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NAND Flash
從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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EDA 3D IC 數字孿生
SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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美光 自適應寫入 QLC NAND
●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
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西門子EDA 3D IC
TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續至年底。根據通路查核，隨著價格進入高檔區間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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DDR4 NAND
縱觀整個電子行業，往更高密度的集成電路發展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產品可持續發展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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AI推理 QLC NAND Flash
來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發了涉及精確和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發展，包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業和研究方向，而不是任何商業公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
上半年，時至過半。回顧這半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產品領域。在這個過程中會對半導體產業造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產 DDR3 和 DDR4 內存的消息，想必業內人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內存）和 DDR5 等
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DDR3 DDR4 NAND HDD
據消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據悉，LG顯示此前的eMMC產品還使用了ESMT和鎧俠的產品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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三星 MLC NAND TLC QLC
業界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現短缺。 供應鏈業者同步透露，金價持續上漲、產品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯、慧榮等主控業者有機會受惠。多家BT載板業者證實，確實2025年5月上旬時，陸續接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據三菱發出的通知內容指出，
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臺積電 CoWoS BT載板基材 NAND 主控芯片
存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
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3D 射頻傳感器
NAND閃存將單元串聯排列以實現高密度存儲，優先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃存 NAND
Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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Sandisk 3D-NAND
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